6月22日，被誉为“忆阻器之父”的美国加州大学伯克利分校电气工程与计算机科学系教授蔡少棠（Leon O. Chua）受聘我校名誉教授。副校长陈建国向蔡少棠颁发了聘书。

陈建国代表学校对蔡少棠教授表示诚挚的欢迎，并感谢他长期以来给予学校的关心、支持和帮助。

“忆阻器这种新型器件在很多应用领域有着巨大潜力，是未来科学发展的一项重要的研究领域，国外高校也都在做忆阻器相关的研究。”蔡少棠表示，华中大缪向水教授团队为忆阻器领域作了突出贡献，他期待以后能够与华中大有更多的交流与合作。

国际交流处、光电信息学院相关负责人参加了活动。

授聘仪式之后，光电学院师生聆听了蔡少棠教授题为《关于忆阻器，你所不知道的 10 件事》（Ten Things You Didn’t Know About Memristors）的报告。在报告中，蔡少棠从忆阻器最基本的定义出发，解释了忆阻器的基本概念，提出了忆阻器的判断依据，阐述了物理忆阻器件与理想忆阻器的差异，深入浅出地回答了为什么直流激励下理想忆阻器伏安曲线为线性的“点”而交流激励下忆阻器却展现出捏滞回线、忆阻器的捏滞回线为何与激励的幅值与频率及初始态有关、如何从忆阻器的断电图判断其易失性、状态连续和分立的非易失性存储器的差异、局域无源忆阻器和局域有源忆阻器的概念及为何我们认为大脑也是由忆阻器构成等问题。

蔡少棠现为美国加州大学伯克利分校电气工程与计算机科学系荣休教授，是欧洲科学院和匈牙利科学院的外籍院士、IEEE Fellow。1971年，他在理论上提出了忆阻器（Memristor）的存在。2008年，美国惠普实验室在《自然》刊文宣布，物理实现了忆阻器。忆阻器是一种与磁通量和电荷相关的无源电路元件，被认为是继电阻、电容、电感之后的第四种电路基本元件，在信息存储、逻辑运算、神经形态计算、非线性电路领域有着非常重要的应用前景。这一个概念的提出和实现给传统电路理论带来了根本性的变革。忆阻器的物理实现当年被美国《时代》周刊评为2008年50项最佳发明之一，并入选美国《连线》杂志2008年十大科技突破。