1月8日上午，2015年度国家科学技术奖励大会在人民大会堂举行，校友江风益作为第一完成人的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目获国家技术发明一等奖。

江风益1980年9月至1984年7月就读于吉林大学物理系原子核物理专业，现任南昌大学副校长。2002年获中央和国家四部联合授予的“杰出专业技术人才”称号，2008年获中国科协求实杰出青年成果转化奖。

江风益在观察一张硅衬底蓝光LED芯片（图片由江风益本人提供）

LED照明具有重大节能减排价值，是国内外重点发展的战略性新兴产业。现有的三条LED照明技术路线，分别是蓝宝石、碳化硅和硅衬底GaN基LED技术路线。其中，前两条路线分别是以日本和美国为主发展起来的，主要贡献者分别获得日美两国最高科技奖，第一条路线的三位主要发明人还获得了2014年度诺贝尔物理学奖，第三条路线是由我国发展起来的，即江风益团队的发明成果。该项目发明了第三条LED照明技术路线，具有完整的自主知识产权，属原始创新技术，冲破了国外的专利束缚，产品在市场上形成独特的优势，有力地提升了我国LED技术在国际上的地位。

在硅衬底上制备GaN基LED一直是业界梦寐以求的事情。然而由于硅和GaN这两种材料性能的巨大差异，致使业界普遍认为，在硅衬底上制备高光效GaN基LED是不可能的。

该项目经过三千多次实验，攻克了这一世界难题，发明了在材料生长和芯片制造过程中克服巨大张应力的方法、结构和工艺技术，在国际上率先研制成功高内量子效率硅衬底蓝光LED外延材料和高取光效率高可靠性单面出光蓝光LED芯片，并率先实现了产业化，获授权发明专利68项，其中美国发明专利19项。由该项目成果在南昌高新区创建了硅衬底LED芯片制造、器件封装和产品应用企业，推出了30多种产品，形成了硅衬底LED上中下游产业链，产品在通用照明和特种照明中推